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普達特科技(00650.HK):12英寸LPCVD爐管設備通過客戶驗收,ALD設備驗證中

普達特科技宣布其12英寸LPCVD爐管設備通過客戶驗收,ALD爐管設備正在驗證中,覆蓋65nm至7nm先進節點;同時五臺6至12英寸單片清洗設備也成功通過驗收,其中兩臺爲重復訂單。公司已完成14/7nm節點Low-K ALD SiOCN爐管設備開發,致力於打破海外壟斷,推動先進半導體設備國產化。

新時空報道:普達特科技有限公司(0650.HK)發布自願性公告,公布半導體設備業務最新進展。公司一臺12英寸LPCVD爐管設備成功通過客戶驗收,該設備應用於LP-SiN薄膜沉積工藝。此外,另一臺12英寸ALD爐管設備在客戶端處於驗證過程中,該設備應用於ALD-SiN/ALD-SiCN薄膜沉積工藝,兼容Thermal/Plasma模式。

據公告,公司先進半導體爐管設備產品線擁有Galilee-LP與Galilee-ALD兩大設備平臺,致力於服務12英寸邏輯制程、DRAM、3D NAND領域,應用覆蓋65nm~7nm先進節點的關鍵薄膜沉積工藝,可沉積SiN、Poly、TEOS等多種系列膜層材料。該類設備市場主要由海外供應商佔據,國產化率極低。公司設備可實現更高的填充深寬比、均勻性、臺階覆蓋率與更低的污染,在先進性能指標達到國際標準的同時,擁有更高的批次生產效率。

在先進應用開發方面,公司已完成開發用於14/7nm節點的Low-K ALD SiOCN爐管設備,用於滿足大規模集成電路對高性能絕緣層的需求,目前該設備仍由海外設備商壟斷。

此外,公司半導體單片清洗設備亦持續擴大客戶基礎與量產經驗。自2025年10月至今,已有五臺6至12英寸CUBE單片清洗設備成功於多家高質量客戶處通過驗收,應用於SiC/功率器件/數模混合芯片等領域,其中兩臺設備爲重復訂單。該設備針對背面清洗與蝕刻工藝,具備超薄晶圓的處理能力。

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