科創芯片設計ETF鵬華(589170)漲超8.2%，全球存儲芯片轉入賣方市場

消息面上，SK海力士在5月投資者會議上釋放的判斷具有標志性意義：全球存儲芯片行業已全面轉入賣方市場，DRAM與NAND庫存僅維持約4周，處於歷史低位，"所有客戶的需求均無法被完全滿足"。美光CEO桑傑·梅赫羅特拉同期表示，存儲芯片供應短缺"才剛剛開始"，新建晶圓廠建設周期長，本輪供需緊張格局2028年前難以緩解。

機構指出，全球三大存儲廠商（三星、SK海力士、美光）將大量產能優先供應HBM及企業級SSD，直接擠壓傳統消費類DRAM和NAND產能，導致現貨市場供應急劇短缺。DRAM庫存周期從2023年的31周大幅壓縮至2025年10月的8周。SSD出口同比+715%、DRAM同比+343%、Flash Memory同比+289%，三位數增長趨勢延續，量數據確認價格端信號。當前周期共識已從"是否上行"切換至"上行持續多久"。

截至2026年5月6日 10:55，上證科創板芯片設計主題指數(950162)強勢上漲8.41%，成分股海光信息上漲20.00%，瀾起科技上漲16.83%，佰維存儲上漲16.23%，普冉股份，龍芯中科等個股跟漲。科創芯片設計ETF鵬華(589170)上漲8.24%， 衝擊3連漲。最新價報1.21元。

科創芯片設計ETF鵬華緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，上證科創板芯片設計主題指數選取科創板內業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作爲指數樣本，以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。

數據顯示，截至2026年4月30日，上證科創板芯片設計主題指數(950162)前十大權重股分別爲瀾起科技、海光信息、寒武紀、芯原股份、佰維存儲、睿創微納、東芯股份、盛科通信、晶晨股份、龍芯中科，前十大權重股合計佔比62.87%。

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