機構：AI驅動的“存儲通脹”效應正加速兌現，科創芯片設計ETF(588780)下跌1.32%

新時空訊，截至2026年2月25日14:30，上證科創板芯片設計主題指數(950162)下跌1.27%。成分股方面漲跌互現，格科微領漲4.50%，樂鑫科技上漲4.25%，力芯微上漲3.43%；普冉股份領跌7.91%，燦芯股份下跌5.94%，瀾起科技下跌4.31%。科創芯片設計ETF(588780)下跌1.32%，最新報價0.89元。拉長時間看，截至2026年2月24日，科創芯片設計ETF近2周累計上漲1.57%，漲幅排名可比基金1/5。（以上所列股票僅爲指數成份股，無特定推薦之意）

流動性方面，科創芯片設計ETF盤中換手14.49%，成交1.31億元，市場交投活躍。拉長時間看，截至2月24日，科創芯片設計ETF近1月日均成交1.55億元，排名可比基金第一。

規模方面，科創芯片設計ETF近2周規模增長5569.81萬元，實現顯著增長，新增規模位居可比基金1/5。（數據來源：Wind）

份額方面，科創芯片設計ETF最新份額達10.12億份，創近1年新高，位居可比基金1/5。（數據來源：Wind）

資金流入方面，科創芯片設計ETF最新資金淨流入1452.22萬元。拉長時間看，近4個交易日內有3日資金淨流入，合計“吸金”3658.34萬元，日均淨流入達914.59萬元。（數據來源：Wind）

數據顯示，槓杆資金持續布局中。科創芯片設計ETF最新融資買入額達734.42萬元，最新融資餘額達4705.08萬元。（數據來源：Wind）

截至2月24日，科創芯片設計ETF近1年淨值上漲63.13%，指數股票型基金排名148/3515，居於前4.21%。從收益能力看，截至2026年2月24日，科創芯片設計ETF自成立以來，最高單月回報爲37.17%，最長連漲月數爲4個月，最長連漲漲幅爲65.67%，漲跌月數比爲9/4，上漲月份平均收益率爲10.97%，年盈利百分比爲100.00%，歷史持有1年盈利概率爲100.00%。截至2026年2月24日，科創芯片設計ETF近3個月超越基準年化收益爲2.48%。

回撤方面，截至2026年2月24日，科創芯片設計ETF今年以來相對基準回撤0.15%，在可比基金中回撤最小。

費率方面，科創芯片設計ETF管理費率爲0.50%，託管費率爲0.10%，費率在可比基金中最低。

跟蹤精度方面，截至2026年2月24日，科創芯片設計ETF近2月跟蹤誤差爲0.025%，在可比基金中跟蹤精度最高。

科創芯片設計ETF緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，上證科創板芯片設計主題指數選取科創板內業務涉及芯片設計領域的上市公司證券作爲指數樣本，以反映科創板芯片設計領域上市公司證券的整體表現。

數據顯示，截至2026年1月30日，上證科創板芯片設計主題指數(950162)前十大權重股分別爲瀾起科技、海光信息、芯原股份、寒武紀、佰維存儲、東芯股份、睿創微納、臻鐳科技、龍芯中科、復旦微電，前十大權重股合計佔比58.7%。（以上所列股票僅爲指數成份股，無特定推薦之意）

國聯民生證券分析表示，美光宣布投資500億美元擴建Boise園區並新建兩座DRAM晶圓廠，預計2027年量產、2028年底全面投產；HBM4已通過英偉達質量測試並獲批量採購訂單，三星報價達700美元/顆，較HBM3E高出20–30%，反映AI驅動的“存儲通脹”效應正加速兌現。

新時空聲明： 本內容爲新時空原創內容，復制、轉載或以其他任何方式使用本內容，須注明來源“新時空”或“NewTimeSpace”。新時空及授權的第三方信息提供者竭力確保數據準確可靠，但不保證數據絕對正確。本內容僅供參考，不構成任何投資建議，交易風險自擔。