南方港韩科技(03431.HK)盘中涨0.53%，韩股低开后转涨1.67%、SK海力士涨3.36%

新时空讯：截至11月9日10时51分，南方港韩科技(03431.HK)上涨0.53%，最新价8.535港元。该ETF今日目前成交58.53万股，成交额499.45万港元，平均价8.533港元，换手率0.513%。本周以来累计上涨0.53%。当前单位净值8.4975港元，资产规模9.69亿港元。（口径注：单位净值与资产规模截至11月6日；本周以来涨跌幅以上一交易日11月6日收盘价8.490港元为基准，故与当日涨幅相同。）

11月9日，韩国股市低开后走高。韩国综合股价指数（KOSPI）早段一度跌0.63%、报5,028.01点，其后转涨，首尔时间11时49分（北京时间10时49分）报5,143.96点、涨84.27点（涨幅1.67%）；个股方面，SK海力士涨3.36%、三星电子涨2.44%。产业层面，三星电子与SK海力士正竞相追加极紫外（EUV）光刻设备订单，投入规模分别达10万亿至约20万亿韩元，ASML已确认2027至2028年EUV设备供应将出现缺口；SK海力士计划在1c代DRAM上将EUV应用层数提升至五层以上，较上代增加两层。同日港股科技同步走高，恒生科技指数10时33分报4,101.85点、涨0.58%。

南方港韩科技(03431.HK)追踪富时香港韩国科技+指数，成份股为在香港与韩国上市、属科技行业的大中型公司，覆盖半导体、消费电子、互联网平台、软件与服务等环节，按市值加权，以反映两地科技龙头的整体表现。产品由南方东英资产管理有限公司管理。

集邦咨询（TrendForce）指出，受人工智能需求与供应紧张影响，2026年第四季度一般型DRAM与NAND Flash合约价将继续上涨10%至20%，其中DRAM合约价环比涨幅约20%；服务器厂商的庞大采购合约直接锁定芯片厂的高阶产能，而高带宽存储器（HBM）与传统DRAM共用同一批晶圆产能，HBM占比提升将进一步挤压传统DRAM供应。